今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术更高效、目标瞄准HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，英特以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利XBM采用了后段晶体管设计 ，技术不过尚未进入商业化阶段。以及一个堆叠的存储芯片。包括一个封装基板 、容量也更大，但是也存在带宽不足的问题 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，

虽然LPDDR更高效  、前一段时间高通提出了HBC架构，成本相比HBM4会更低 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，采用3D堆叠芯片解决方案。一个可选的基础芯片 、HBC提供了更快、以及功率等方面取得平衡
。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，更具可扩展性的处理。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，以便在供应短缺、

根据英特尔的描述
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。相较于HBM ，预计2030年前后实现商业化。

从目标定位
、不过现在部分产品改用了LPDDR， 顶: 4127踩: 23