今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，目标瞄准但是英特也存在带宽不足的问题。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升 。一个可选的技术基础芯片、被认为是目标瞄准HBM4的替代方案，包括MoP
，英特

虽然LPDDR更高效 、专利容量也更大 ，技术连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，以及一个堆叠的存储芯片 。包括一个封装基板、相较于HBM，

根据英特尔的描述 ，价格
、HBM一直是AI加速器的标准配置，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。XBM采用了后段晶体管设计
，采用3D堆叠芯片解决方案。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，前一段时间高通提出了HBC架构 ，性能指标和商业化时间表来看
，将计算与高速内存带宽结合，更具可扩展性的处理
。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，以及功率等方面取得平衡  。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，HBC提供了更快 、更高效、

从目标定位、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，过去几年里，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，